Российские исследователи разработали элементы памяти будущего

Новосибирские ученые совершили прорыв в области хранения данных, разработав новые материалы для создания памяти будущего. Текущие технологии флеш-памяти достигли своего предела: максимальное количество перезаписей, максимальная долговечность и максимальная емкость уже исчерпаны. Дальнейшее развитие по этому пути невозможно.

Исследователи НГУ обратились к мемристорам — перспективной технологии, способной кардинально изменить ситуацию. В отличие от флеш-памяти, мемристоры обещают на порядки увеличить количество циклов перезаписи, а скорость работы — сократить до десятков наносекунд или даже пикосекунд, в то время как флеш-память работает в долях микросекунд.

Ключевое достижение сибирских учёных — использование кремний-германиевых стёкол — смеси оксидов кремния и германия. Впервые в мире они обнаружили в этом уникальном материале "эффект памяти", необходимый для функционирования мемристора, и детально изучили его оптоэлектронные свойства. Сейчас проводится исследование протекания тока в этих стеклах для создания высокоэффективных элементов памяти.

Важность работы состоит в том, что учёные научились предсказывать параметры будущего мемристора на основе теоретических расчетов, минуя трудоёмкий процесс создания его наноструктуры. Это открытие обещает создание принципиально новых запоминающих устройств, значительно превосходящих по скорости, долговечности, емкости и надежности существующие флеш-накопители.

Фото: wikimedia.commons.org/Nrbelex (Creative Commons Attribution-Share Alike 3.0 Unported license)